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      高低溫環(huán)境試驗裝置「光電半導體領域」

      高低溫環(huán)境試驗裝置「光電半導體領域」

      簡要描述:高低溫環(huán)境試驗裝置「光電半導體領域」
      光電半導體領域:針對 LED、太陽能電池、半導體芯片等敏感元件進行溫濕度交變測試,檢驗半導體器件在高溫下的熱穩(wěn)定性、可靠性以及電性能,在低溫下的冷啟動能力、低溫下的工作性能等,確保其性能穩(wěn)定性和使用壽命。

      產品型號: SMB-225PF

      所屬分類:高低溫環(huán)境試驗裝置

      更新時間:2025-05-20

      廠商性質:生產廠家

      詳情介紹

      高低溫環(huán)境試驗裝置「光電半導體領域」



      結構組成


      • 箱體:內膽一般采用進口高級不銹鋼(SUS304)鏡面板,具有良好的耐腐蝕性和清潔度;外膽采用 A3 鋼板噴塑,造型美觀,增加了外觀質感。

      • 制冷系統(tǒng):由壓縮機、冷凝器、蒸發(fā)器、節(jié)流閥等部件組成。

      • 加熱系統(tǒng):主要由電加熱絲和溫控裝置構成,根據設定溫度自動調節(jié)加熱功率。

      • 循環(huán)風系統(tǒng):包括風扇、風道等組件,使箱內空氣形成循環(huán),保證溫度均勻分布。

      • 控制系統(tǒng):采用微電腦控制系統(tǒng),可實現對溫度的精確控制和監(jiān)測,支持多段程序設定。

      • 濕度系統(tǒng)(部分具備):采用外置隔離式,全不銹鋼鍋爐式淺表面蒸發(fā)式加濕器,可實現 30%~98% RH 的濕度控制



      高低溫環(huán)境試驗裝置「光電半導體領域」

      1、溫度范圍:-20℃ ~ +150℃;

      2、溫度波動度:≤±0.5℃;

      3、溫度均勻度:≤1℃;

      4、溫度偏差:≤±2℃;

      5、升降溫速率:

      從+20~-70℃,約70min

      從+20―100℃,約55min

      6、風速:1.7 ~ 2.5m/s;

      以上指標均在環(huán)境溫度≤25℃,常壓,空載、無負荷條件下、距箱體內壁1/6空間內測試測得;

      7、功率:約3.5Kw;

      8、電源:220V±10%V;50Hz;

      9、濕度范圍:20%―98%R.H(AT+25℃~+85℃)

      10、濕度誤差:+2/-3%R.H(75%R.H以上),±5% R.H(75%R.H以下)

      滿足相關標準及試驗方法:

      GB/T2423.22-87Nb      GJB1032-90          MIL-STD-2164/(E/C)  

      GB/T2423.4-93         GB/T2423.34-86         GJB150.9-86

      高低溫環(huán)境試驗裝置「光電半導體領域」





      高低溫環(huán)境試驗裝置「光電半導體領域」


      結構與材質

      內箱材質:SUS#304耐熱耐寒不銹鋼一級鏡面光板.

      外箱材質:高韌性冷軋不銹鋼板并以無溶劑粉體樹酯涂裝.

      保溫材質:耐火級高強度PU聚氨酯發(fā)泡保溫絕緣材料(比一般PU更具斷熱,耐火功效),保溫系數:小于0.0212kcal/m?hr.

      箱門:全開式箱門1式,單扇開啟式.

      門氣密材料:*高張力硅膠密封條,耐溫-90~280℃.


      加濕系統(tǒng)

      加濕方式:蒸汽加濕方式:采用電子并位元方式微動加濕系統(tǒng);加濕迅速,省水、省電、容許測試產品發(fā)熱200%以上. 加濕、除濕系統(tǒng)*獨立,無需額外排水.

      加濕保護:加濕均采電子式三層保護及機械式保護開關壹組.附過熱、溢流雙重保護裝置.

      防結露設計:可設定溫濕度同步斜率,避免試品結露.

      高低溫環(huán)境試驗裝置「光電半導體領域」



      設備使用條件

      場地:地面平整,通風良好,不含易燃、易爆、腐蝕性氣體和粉塵.

      附近沒有強電磁輻射源.

      室內環(huán)境條件:溫度: 5℃~35℃.

      相對濕度: <85%RH.

      氣壓: 86~106kpa.

      排水口:設備附近備有排水地漏.






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