高低溫箱 晶圓封裝測(cè)試 30秒溫變不傷元件

高低溫箱 晶圓封裝測(cè)試 30秒溫變不傷元件

1. 溫度控制技術(shù)

• 溫變速率可達(dá)30 秒內(nèi)完成目標(biāo)溫度切換（如從 - 70℃到 + 200℃）。

• 僅對(duì)單個(gè)芯片進(jìn)行精準(zhǔn)控溫，不影響外圍電路，減少熱沖擊風(fēng)險(xiǎn)。

• 原理：通過(guò)測(cè)試頭與待測(cè)器件直接貼合傳遞能量，避免傳統(tǒng)氣流式設(shè)備的熱傳導(dǎo)延遲。

• 優(yōu)勢(shì)：

• 代表產(chǎn)品：成都中冷低溫科技 ATC860 接觸式高低溫沖擊機(jī)。

2. 高精度控溫系統(tǒng)

• 內(nèi)置防冷凝、防結(jié)霜功能，避免芯片表面凝露導(dǎo)致短路。

• 接觸式設(shè)計(jì)減少熱應(yīng)力集中，降低封裝開(kāi)裂風(fēng)險(xiǎn)。

• 溫度范圍：-70℃至 + 200℃（滿(mǎn)足晶圓測(cè)試的寬溫域需求）。

• 穩(wěn)定性：±0.5℃，確保測(cè)試數(shù)據(jù)的可靠性。

• 防損傷設(shè)計(jì)：

高低溫箱 晶圓封裝測(cè)試 30秒溫變不傷元件

寬溫域氣流式試驗(yàn)箱

• 型號(hào)：皓天鑫芯片高低溫交變濕熱試驗(yàn)箱

• 技術(shù)參數(shù)：

• 溫度范圍：-60℃至 150℃。

• 溫變速率：約 1.0℃/min（需較長(zhǎng)時(shí)間達(dá)到目標(biāo)溫度）。

• 控制精度：±0.2℃。

• 適用場(chǎng)景：

• 批量晶圓或封裝模塊的高低溫循環(huán)測(cè)試。

• 需符合 ISO、JEDEC 等標(biāo)準(zhǔn)的可靠性驗(yàn)證。

測(cè)試方案設(shè)計(jì)

1. 測(cè)試流程：

• 快速溫變測(cè)試：模擬芯片在極-端環(huán)境下的開(kāi)關(guān)機(jī)或快充場(chǎng)景，驗(yàn)證封裝材料的熱膨脹匹配性。

• 溫度循環(huán)測(cè)試：通過(guò)多段溫變曲線(xiàn)（如 - 40℃→125℃循環(huán)），評(píng)估焊點(diǎn)疲勞壽命。

2. 損傷預(yù)防措施：

• 采用梯度升溫 / 降溫策略（如先以 10℃/min 速率預(yù)調(diào)整，再快速切換）。

• 配置紅外測(cè)溫實(shí)時(shí)監(jiān)控芯片結(jié)溫，避免局部過(guò)熱。